很多偉大的發(fā)明都是從假設(shè)開始的,下面要給大家介紹的是四川微弧氧化電源的電擊穿理論假設(shè),一起來了解一下吧。
陽極氧化電流由離子電流和電子電流共同組成,而其中離子電流是主要組成,其值遠遠大于電子電流。因此,很容易聯(lián)想到電擊穿是由于離子電流的作用產(chǎn)生的。但是,離子電流機理一直沒有得到實驗證實,成為早初被淘汰的理論假設(shè)。熱作用機理是由Young等 來的,理論認為,界面膜層存在一臨界溫度Tm,當膜層中的局部溫度超過Tm時,便產(chǎn)生電擊穿。溫度的變化是山氧化過程中產(chǎn)生的焦爾熱引起的,因此稱之為熱作用機理。實際研究結(jié)果表明,只有當電流密度超過一定的值(1 0mA/cn內(nèi)時,刁可能因焦爾熱作用導致局部溫度發(fā)生顯著的變化,從而引起電擊穿。然而,熱作用機理只能定性解釋大電流密度時的電擊穿現(xiàn)象,對某些在小電流密度時產(chǎn)生的電擊穿現(xiàn)象無法解釋,而且一直沒有 定量的模型,仍有一待進一步的發(fā)展和完善。Yahalom和Zahavi 了機械作用機理。他們認為,電擊穿產(chǎn)生與否主要取決于氧化膜/電解液界面的性質(zhì),雜質(zhì)離子的影響是次要的。氧化時,膜層厚度增加,造成膜層中壓應力增大,于是產(chǎn)生裂紋,電流從裂紋處流過,而局部裂紋中流經(jīng)的大電流密度將導致電擊穿。此外,局部的大電流密度產(chǎn)生大量的焦耳熱,促進膜層局部晶化,從而產(chǎn)生更多的裂紋或提高膜層的離子或電子導電性,有利于進一步產(chǎn)生電擊穿。若存在雜質(zhì)離子,則更容易產(chǎn)生電擊穿。可惜的是,Yahalom和Zahavi也沒有 定量的理論模型,且不能完全解釋其他研究者的實驗現(xiàn)象。
通過以上的介紹,您對于四川微弧氧化電源的電擊穿理論假設(shè)了解了多少呢?
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